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MT29F8G16ADBDAH4

4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D

包装:托盘 封装/外壳:63-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:63-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT29F8G16ADBDAH4-IT:D

包装:散装 封装/外壳:63-VFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

详细参数

  • 型号:

    MT29F8G16ADBDAH4

  • 功能描述:

    IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
micron(镁光)
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标准封装
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更多MT29F8G16ADBDAH4供应商 更新时间2024-4-27 9:38:00