MT29F3T08EUHBBM4-3R:B_集成电路（IC）存储器-镁光

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厂家型号：
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
制造商：
MICRON/镁光
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
包装：
托盘
更新时间：
2024-5-21 17:07:00

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原厂料号：MT29F3T08EUHBBM4-3R:B品牌：Micron Technology Inc.

资料说明：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B是集成电路（IC） > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装的MT29F3T08EUHBBM4-3R:B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
mt29f3t08euhbbm4-3r:b
规格书：
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企业简称：
MICRON【镁光】详情
厂商全称：
Micron Technology Inc.
中文名称：
美国镁光科技有限公司
资料说明：
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

产品属性

类型
描述
产品编号：
MT29F3T08EUHBBM4-3R
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
3Tb（384G x 8）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
描述：
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ

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