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MT25QL512ABB8ESC-0SITES	文件：1.2261 Mbytes Page：92 Pages	2Gb, 3V Multiple I/O Serial Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB Sector Erase Features •Stackeddevice(four512Mbdie) •SPI-compatibleserialbusinterface •Singleanddoubletransferrate(STR/DTR) •Clockfrequency –133MHz(MAX)forallprotocolsinSTR –90MHz(MAX)forallprotocolsinDTR •Dual/quadI/Ocommandsforincreasedthroughput upto90MB/s •	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
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2Gb, 3V Multiple I/O Serial Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB, 32KB, 64KB Sector Erase

Features •Stackeddevice(four512Mbdie) •SPI-compatibleserialbusinterface •Singleanddoubletransferrate(STR/DTR) •Clockfrequency –133MHz(MAX)forallprotocolsinSTR –90MHz(MAX)forallprotocolsinDTR •Dual/quadI/Ocommandsforincreasedthroughput upto90MB/s •

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

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2Gb,3VMultipleI/OSerialFlashMemory3V,MultipleI/O,4KB,32KB,64KBSectorErase

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

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2Gb,3VMultipleI/OSerialFlashMemory3V,MultipleI/O,4KB,32KB,64KBSectorErase

MicronMicron Technology Inc.

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