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BAS516	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	High-speedswitchingdiodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS516	文件：219.07 Kbytes Page：8 Pages	High-speedswitchingdiode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaultrasmallandflatleadSOD523(SC-79)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS516	文件：1.86261 Mbytes Page：3 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes VR100V Ifav250mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAS516	文件：162.95 Kbytes Page：1 Pages	SwitchingDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Highswitchingspeed	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BAS516	文件：185.68 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS516	文件：282.2 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●UltrasmallplasticSMDpackage. ●Highswitchingspeed:max.4ns. ●Continuousreversevoltage:max.75V. ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：225.28 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiodes SWITCHINGDIODE250mAMPERES75VOLTS Description: TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD-523(SC79)SMDplasticpackage. Features: Highswitchingspeed:max.4ns Continuousreversevoltage:max.75V R	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BAS516	文件：185.05 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGDIODES PRODUCTSUMMARY SOD-523Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Smallsurfacemountingtype Highswitchingspeed	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes Generaldescription High-speedswitchingdiodes,encapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed:trr≤4ns ■Lowcapacitance ■Lowleakagecurrent ■Reversevoltage:VR≤100V ■Repetitivepeakreversevoltage:VRRM≤1	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：252.01 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●HighSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1 ●Marking:61	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS516	文件：188.18 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●UltrasmallplasticSMDpackage. ●Highswitchingspeed:max.4ns. ●Continuousreversevoltage:max.75V. ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS516	文件：59.67 Kbytes Page：12 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD523(SC79)SMDplasticpackage. FEATURES •UltrasmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivep	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS516	文件：162.57 Kbytes Page：3 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD523(SC79)SMDplasticpackage. FEATURES ·UltrasmallplasticSMDpackage ·Highswitchingspeed:max.4ns ·Continuousreversevoltage:max.75V ·Repetitivep	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAS516	文件：109.72 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes SwitchingDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Highswitchingspeed	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAS516	文件：105.06 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SwitchingDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Highswitchingspeed	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS516-Q	文件：191.12 Kbytes Page：10 Pages	High-speedswitchingdiode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaultrasmallandflatleadSOD523(SC-79)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS516S	文件：254.42 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode FEATURES •Highspeedswitching •Highreliabilty MECHANICALDATA •Extremelysmallsurfacemountingtype.(EMD2) •Highspeed.(trr=4nstype.) •Siliconepitaxialplaner	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAS516WT	文件：421.56 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES SmallPackage LowReverseCurrent FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI

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产品属性

产品编号：
MSR516NP
制造商：
Mallory Sonalert Products Inc.
类别：
音频设备，产品 > 警报器，蜂鸣器，警笛
系列：
MSR
包装：
散装
驱动电路：
指示灯，内部驱动
输入类型：
DC
电压范围：
4 ~ 14V
频率：
3.9kHz
技术：
压电
工作模式：
脉冲，快速
持续时间：
2 ~ 10 PPS
声压级 (SPL)：
75dB @ 4V，61cm
电流 - 供电：
3 ~ 12mA
端口位置：
顶部
工作温度：
-20°C ~ 65°C
安装类型：
通孔
端接：
PC 引脚
大小 / 尺寸：
0.906" 直径（23.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.421"（10.70mm）
描述：
BUZZER PIEZO 23MM TH

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更多MSR516NP供应商更新时间2024-5-11 10:55:00

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