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MSR2N5153U3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：RH POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip
2N5153U3	文件：178.59 Kbytes Page：4 Pages	PNP POWER SILICON TRANSISTOR 文件：178.59 Kbytes 页数：4 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
2N5153U3	文件：467.8 Kbytes Page：4 Pages	NPN Power Silicon Transistor Features • JANS and JANSR Qualified to MIL-PRF-19500/544 • JEDEC Registered 2N5153 • Lightweight & Low Power • Ideal for Space, Military, and Other High Reliability Applications • Surface Mount U3 Package 文件：467.8 Kbytes 页数：4 Pages	MA-COM	MA-COM
JAN2N5153U3	文件：178.59 Kbytes Page：4 Pages	PNP POWER SILICON TRANSISTOR PNP POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/545 文件：178.59 Kbytes 页数：4 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

产品属性

产品编号：
MSR2N5153U3
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/545
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 2.5A，5V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，无引线
供应商器件封装：
U3
描述：
RH POWER BJT

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