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MSP430F1101AIDWR

丝印:M430F1101A;Package:SOIC(DW);MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

Low Supply Voltage Range 1.8 V to 3.6 V Ultralow Power Consumption − Active Mode: 160 μA at 1 MHz, 2.2 V − Standby Mode: 0.7 μA − Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA Wake-Up From Standby Mode in Less Than 6 μs 16-Bit RISC Architecture, 125 ns Instruction Cycle Time Basic Clock Module Configu

文件:2.29392 Mbytes 页数:54 Pages

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MSP430F1101AIDWR

MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

文件:762.45 Kbytes 页数:39 Pages

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MSP430F1101AIDWR

QUADRUPLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUTS

文件:1.08706 Mbytes 页数:46 Pages

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MSP430F1101AIDWR

MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

文件:947.4 Kbytes 页数:40 Pages

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MSP430F1101AIDWR

MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

文件:876.05 Kbytes 页数:43 Pages

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MSP430F1101AIDWR

Mixed Signal Microcontroller

文件:1.53331 Mbytes 页数:46 Pages

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MSP430F1101AIDWR.A

丝印:M430F1101A;Package:SOIC(DW);MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

Low Supply Voltage Range 1.8 V to 3.6 V Ultralow Power Consumption − Active Mode: 160 μA at 1 MHz, 2.2 V − Standby Mode: 0.7 μA − Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA Wake-Up From Standby Mode in Less Than 6 μs 16-Bit RISC Architecture, 125 ns Instruction Cycle Time Basic Clock Module Configu

文件:2.29392 Mbytes 页数:54 Pages

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MSP430F1101AIDWR.B

MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER

Low Supply Voltage Range 1.8 V to 3.6 V Ultralow Power Consumption − Active Mode: 160 μA at 1 MHz, 2.2 V − Standby Mode: 0.7 μA − Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA Wake-Up From Standby Mode in Less Than 6 μs 16-Bit RISC Architecture, 125 ns Instruction Cycle Time Basic Clock Module Configu

文件:2.29392 Mbytes 页数:54 Pages

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MSP430F1101AIDWR

Package:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 微控制器 描述:IC MCU 16BIT 1KB FLASH 20SOIC

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产品属性

  • 产品编号:

    MSP430F1101AIDWR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 微控制器

  • 系列:

    MSP430x1xx

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 核心处理器:

    MSP430 CPU16

  • 内核规格:

    16 位

  • 速度:

    8MHz

  • 外设:

    POR,WDT

  • 程序存储容量:

    1KB(1K x 8 + 256B)

  • 程序存储器类型:

    闪存

  • RAM 大小:

    128 x 8

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    1.8V ~ 3.6V

  • 数据转换器:

    斜率 A/D

  • 振荡器类型:

    内部

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    20-SOIC

  • 描述:

    IC MCU 16BIT 1KB FLASH 20SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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