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PMF8.0CA	文件：996.76 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORDIODE Features Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
PSMF8.0AL	文件：389.81 Kbytes Page：7 Pages	400WATTTVSCOMPONENT	PROTEC Protek Devices	PROTEC
SA8.0	文件：169.1 Kbytes Page：6 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR(VOLTAGE-5.0TO170Volts500WattPeakPulsePower) FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-15package •500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0voltstoBV	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SA8.0	文件：313.64 Kbytes Page：4 Pages	500WATTPEAKPOWERTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS FEATURES 500WattsSurgeCapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoBVmin. TypicalIRlessthan1mAabove10V Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds/.375(9.5mm)leadlengt	BYTES Bytes	BYTES
SA8.0	文件：792.46 Kbytes Page：4 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES Glasspassivatedjunction 500WattsPeakPulsePowercapabilityon10/1000µswaveform Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance *Fastresponsetime	DCCOM Dc Components	DCCOM
SA8.0	文件：52.06 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SA8.0	文件：1.31613 Mbytes Page：6 Pages	POWER500WattsVOLTAGE5.0to170Volts Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory flammabilityclassification94V-0 •Glasspassivatedjunction •500Wpeakpulsepowersurgecapabilitywitha10/100μS waveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowincrementalsurgeresistance	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SA8.0	文件：86.01 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.0---170V PEAKPULSEPOWER:500W FEATURES ◇PlasticpackagegasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µs waveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ◇Excellentc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SA8.0	文件：105.33 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorDiodes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SA8.0	文件：110.22 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VOLTAGEPOWER5.0to220Volts500Watts FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-15package •500Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Fastresponsetime:	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
MSMLJ8.0CA
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8V
电压 - 击穿（最小值）：
8.89V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
220.6A
功率 - 峰值脉冲：
3000W（3kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB
描述：
TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB

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