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SA8.0	文件：840.37 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVAEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BreakdownVoltage:5.0-170CAVoltsPeskPulsePower:500Watts FEATURE ◆500wpeakpulsepowercapability ◆Excellentclampingcapability ◆Lowincrementalsurgeresistance ◆Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0vto VBRforunidirectionaland5.0nsrorbidirectionaltypes. ◆	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SA8.0	文件：646.25 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SA8.0	文件：320.48 Kbytes Page：7 Pages	500WattsTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SA8.0	文件：203.95 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SA8.0	文件：354 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressors	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
SA8.0	文件：3.89669 Mbytes Page：7 Pages	FEATURESVoltageSuppressorDiodes FEATURES Excellentclampingcapability Lowdynamicimpedance Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
SA8.0	文件：3.57065 Mbytes Page：7 Pages	5.0To190V500WAxialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS) Features GlasspassivatedchipjunctioninDO-15Package Lowleakage UniandBidirectionalunit Excellentclampingcapability 500WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate(dutycycle):0.01 Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0VoltstoVBRmin TypicalI	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SA8.0	文件：529 Kbytes Page：9 Pages	500W,5V-170VTransientVoltageSuppressor FEATURES ●AEC-Q101qualifiedavailable ●Excellentclampingcapability ●Lowimpedancesurgeresistance ●500Wsurgecapabilityat10/1000μswaveform ●Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltto VBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ●TypicalIRlessthan1μA	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SA8.0(C)	文件：132.3 Kbytes Page：5 Pages	500WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR PRODUCTFEATURES 1.FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 2.GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION 3.500WPEAKPULSEPOWERCAPABILITYWITHA10/1000µSWAVEFORM,REPETITIONRATE(DUTYCYCLE):0.01. 4.EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY 5.FASTRESPONSETIMEFROM0VTOVBR,TYPICALLY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
SA8.0(C)A	文件：166.44 Kbytes Page：7 Pages	500WAxialLeadedTransientVoltageSuppressors-5.0V-220V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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产品属性

产品编号：
MSMLJ8.0A/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8V
电压 - 击穿（最小值）：
8.89V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
220.6A
功率 - 峰值脉冲：
3000W（3kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
SMLJ（DO-214AB）
描述：
TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMLJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市双美芯科技有限公司	MSMLJ8.0A/TR	MICROCHIP(美国微芯)	23+	SMLJ(DO-214AB)	7087	原装现货,免费送样,可开原型号税票。提供技术支持	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	MSMLJ8.0AE3	Microsemi	1941+	N/A	909	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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