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MSMLJ36A	文件：281.28 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT 3000 Watt Transient Voltage Suppressor FEATURES ● High reliability controlled devices with wafer fabrication and assembly lot traceability ● 100 surge tested devices ● Optional upscreening available by replacing the M prefix with MA, MX or MXL. These prefixes specify various screening and conformance inspection options base 文件：281.28 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MSMLJ36A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-Reliability Non-Hermetic TVS diodes SURFACE MOUNT,3000 Watt, Transient Voltage SuppressorHigh Reliability controlled devicesUnidirectional and Bidirectional constructionAvailable in both J-bend and Gull-wing terminationsSelections for 5.0 to 170 V standoff voltages (Vwm)	Microchip 微芯科技	Microchip
MSMLJ36A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MSMLJ36AE3	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-Reliability Non-Hermetic TVS diodes	Microchip 微芯科技	Microchip
MSMLJ36AE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MSMLJ36AE3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMLJ	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
MSMLJ36A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
36V
电压 - 击穿（最小值）：
40V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
58.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
51.6A
功率 - 峰值脉冲：
3000W（3kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB
描述：
TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB

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