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MSMBJSAC6.0e3中文资料ESD 抑制器/TVS 二极管 Uni-Directional TVS数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
MSMBJSAC6.0e3 |
| 参数属性 | MSMBJSAC6.0e3 封装/外壳为DO-214AA，SMB；包装为散装；类别为电路保护的TVS-二极管；MSMBJSAC6.0e3应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 6VWM 11.2VC SMBJ |
| 功能描述 | ESD 抑制器/TVS 二极管 Uni-Directional TVS |
| 封装外壳 | DO-214AA，SMB |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-1 22:59:00 |
| 人工找货 | MSMBJSAC6.0e3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSMBJSAC6.0e3规格书详情
简介
MSMBJSAC6.0e3属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的MSMBJSAC6.0e3TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号：
MSMBJSAC6.0E3
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500
- 包装：
散装
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
6V
- 电压 - 击穿（最小值）：
7.9V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.2V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
41A
- 功率 - 峰值脉冲：
500W
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 不同频率时电容：
30pF @ 1MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-214AA，SMB
- 供应商器件封装：
SMBJ（DO-214AA）
- 描述：
TVS DIODE 6VWM 11.2VC SMBJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi(美高森美) |
24+ |
DO214AA(SMBJ) |
7350 |
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MROSEMI/美高森美 |
24+ |
NA/ |
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MICROSEMIIRE |
24+ |
DO214AA |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
DO214AA |
50000 |
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Microsemi |
1941+ |
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MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
DO214AA |
6000 |
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MICROSEMIIRE |
25+ |
DO214AA |
10000 |
全新原装现货库存 |
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MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
SMBJ(DO-214AA) |
7087 |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
DO214AA |
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Microsemi |
24+ |
N/A |
5600 |
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询价 |
