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SA6.0	文件：178.15 Kbytes Page：4 Pages	5.0Vto170VGPPTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS Features ■500WATTPEAKPOWERPROTECTION ■EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY ■FASTRESPONSETIME ■TYPICALIR	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
SA6.0	文件：82.58 Kbytes Page：6 Pages	500WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
SA6.0	文件：645.66 Kbytes Page：5 Pages	500WattsTransientVoltageSuppressorDiodes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SA6.0	文件：105.33 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorDiodes	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SA6.0	文件：1.31613 Mbytes Page：6 Pages	POWER500WattsVOLTAGE5.0to170Volts Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory flammabilityclassification94V-0 •Glasspassivatedjunction •500Wpeakpulsepowersurgecapabilitywitha10/100μS waveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowincrementalsurgeresistance	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
SA6.0	文件：86.01 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.0---170V PEAKPULSEPOWER:500W FEATURES ◇PlasticpackagegasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µs waveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ◇Excellentc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SA6.0	文件：62.09 Kbytes Page：4 Pages	SILICONBIDIRECTIONALDIACS Features 500WPeakpulsepowercapability Excellentclampingcapability Lowincrementalsurgeresistance Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0vtoVBR forunidirectionand5.0nsforbidirectionaltypes.	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SA6.0	文件：117.8 Kbytes Page：7 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SA6.0	文件：660.35 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVAEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BreakdownVoltage:5.0-170CAVoltsPeskPulsePower:500Watts FEATURE ♦500wpeakpulsepowercapability ♦Excellentclampingcapability ♦Lowincrementalsurgeresistance ♦Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0vtoVBRforunidirectionaland5.0nsrorbidirectionaltypes. ♦Hig	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SA6.0	文件：129.229 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VOLTAGE6.8to144VOLTS400WATTPEAKPOWER1.0WATTSSTEADYSTATE FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritesLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Glasspassivatedchipjunction •500WPeakPulsePowercapability on10/1000μswaveform •Excellentclampingcapability •Repe	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI

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产品属性

产品编号：
MSMBJ6.0A/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
6V
电压 - 击穿（最小值）：
6.67V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
10.3V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
58.3A
功率 - 峰值脉冲：
600W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
SMBJ（DO-214AA）
描述：
TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMBJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSMBJ6.0A/TR供应商更新时间2025-6-9 15:11:00

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