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MUR6030PT	文件：215.05 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastRecoveryDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MUR6030PT	文件：564.71 Kbytes Page：3 Pages	60.0Ampere,300VoltCommonCathodeFastRecoveryEpitaxialDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR6030PT	文件：2.231 Mbytes Page：4 Pages	Ultra-FastRecoveryDiodes30A*2FREDPt Features ●AdoptFREDchip ●LowforwardVoltagedrop ●Fastreverserecoverytime ●Highfrequencyoperation ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Typical	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MUR6030PT	文件：582.18 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES PlasticMaterialhasULFlammability Classification94V-O LowPowerloss,HighEfficiency LowReverseLeakageCurrent SuperFastSwitching,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability FredChipPlanarConstruction	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MUR6030PT	文件：442.06 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpiDiodes Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxy enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22 encapsulationfor 22-B106	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR6030PT	文件：354.59 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier FEATURES ·Guardingforovervoltageprotection ·Dualrectifierconstruction,positivecentertap ·Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Uni	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MUR6030PT	文件：279.5 Kbytes Page：2 Pages	60.0AmpereHeatsinkDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerSupply	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR6030PTR	文件：428.54 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpiDiodes Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22-B106	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MUR6030WT	文件：252.65 Kbytes Page：5 Pages	ULTRAFASTPLASTICRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
NCE6030K	文件：461.05 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6030Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

产品属性

产品编号：
MSG6030F
制造商：
3M
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
系列：
MSG6000F
包装：
散装
类型：
吸收/屏蔽板
形状：
带子
长度：
42.651'（13.00m）
宽度：
11.811"（300.00mm）
厚度 - 总体：
0.012"（0.30mm）
粘合剂：
丙烯酸，导电性，压敏粘合剂（PSA）
材料：
镍铜（NI/CU）织物
描述：
RF ABSORB/SHLD 42.651'X11.811\

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