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MSD2714AT1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MSD2714AT1 |
参数属性 | MSD2714AT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59 |
功能描述 | VHF/UHF Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
65.129 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 11:16:00 |
人工找货 | MSD2714AT1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MSD2714AT1规格书详情
MSD2714AT1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的MSD2714AT1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
MSD2714AT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
25V
- 频率 - 跃迁:
650MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
90 @ 1mA,6V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SC-59
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MSTAR/晨星半导体 |
24+ |
PQFP296 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
MSTAR/晨星半导体 |
23+ |
PQFP296 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
MSTAR/晨星半导体 |
25+ |
PQFP296 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
BGA |
331 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | ||||
MSTAR |
20+ |
PQFP296 |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
询价 | ||
MSTAR |
22+ |
PQFP296 |
3000 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23 |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
LRC |
24+ |
SMD |
9200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-252 |
13508 |
询价 |