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MSD1819A-RT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MSD1819A-RT1G |
| 参数属性 | MSD1819A-RT1G 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3 |
| 功能描述 | General Purpose Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
63.05 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-10 18:50:00 |
| 人工找货 | MSD1819A-RT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSD1819A-RT1G规格书详情
MSD1819A-RT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的MSD1819A-RT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount
This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• High hFE, 210−460
• Low VCE(sat), < 0.5 V
• Moisture Sensitivity Level 1
• ESD Protection:
♦ Human Body Model > 4000 V
♦ Machine Model > 400 V
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
MSD1819A-RT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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