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MSCSM120DDUM16TBL3NG中文资料Baseless 1200V/Double dual common source/SiC MOSFET modules数据手册Microchip规格书
MSCSM120DDUM16TBL3NG规格书详情
描述 Description
•SiC Power MOSFET
-Low RDS(on)
-High temperature performance
•Kelvin source for easy drive
•Low stray inductance
•High efficiency converter
•Outstanding performance at high frequency operation
•Stable temperature behavior
•Direct mounting to heatsink (isolated package)
•Low junction to case thermal resistance
•RoHS Compliant
特性 Features
•
• Configuration: Double dual common source
•
• VDSS (V): 1200
•
• RDSon (mR) typ: 12.5
•
• Current (A) Tc=80°C: 120
•
• Silicon type: SiC MOSFET
•
• Package type: BL3
技术参数
- 制造商编号
：MSCSM120DDUM16TBL3NG
- 生产厂家
：Microchip
- Status
：In Production
- Configuration
：Double dual common source
- Silicon Type
：SiC MOSFET
- VDSS (V)
：1200
- VCES (V)
：0
- RDSon (mR) typ
：12.5
- Current (A) Tc=80 C
：120
- VRRM (V)
：0
- VF (V)
：0
- PKG
：BL3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
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Microchip Technology |
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MOSFET模块 |
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Microchip Technology |
25+ |
模块 |
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MICROCHIP |
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23+ |
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