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MSC750SMA170S数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

MSC750SMA170S

参数属性

MSC750SMA170S 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANS SJT 1700V D3PAK

功能描述

SiC MOSFET
TRANS SJT 1700V D3PAK

封装外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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MSC750SMA170S规格书详情

描述 Description

Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V, 750mΩ  ROHS

简介

MSC750SMA170S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的MSC750SMA170S晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MSC750SMA170S

  • 生产厂家

    :Microchip

  • package_carrier

    :Tube

  • package_name

    :D3PAK

  • Reverse Breakdown Voltage (min)

    :0

  • Reverse Breakdown Voltage (typ)

    :0

  • Reverse Breakdown Voltage (max)

    :1700

  • On-State Resistance (milliohms) (min)

    :0

  • On-State Resistance (milliohms) (typ)

    :750

  • On-State Resistance (milliohms) (max)

    :940

  • Drain Current (dc) (min)

    :0

  • Drain Current (dc) (typ)

    :0

  • Drain Current (dc) (max)

    :4

  • Junction Temperature (℃) (min)

    :-55

  • Junction Temperature (℃) (typ)

    :0

  • Junction Temperature (℃) (max)

    :175

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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