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MSC750SMA170S数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
MSC750SMA170S |
参数属性 | MSC750SMA170S 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRANS SJT 1700V D3PAK |
功能描述 | SiC MOSFET |
封装外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
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MSC750SMA170S规格书详情
描述 Description
Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V, 750mΩ ROHS
简介
MSC750SMA170S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的MSC750SMA170S晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:MSC750SMA170S
- 生产厂家
:Microchip
- package_carrier
:Tube
- package_name
:D3PAK
- Reverse Breakdown Voltage (min)
:0
- Reverse Breakdown Voltage (typ)
:0
- Reverse Breakdown Voltage (max)
:1700
- On-State Resistance (milliohms) (min)
:0
- On-State Resistance (milliohms) (typ)
:750
- On-State Resistance (milliohms) (max)
:940
- Drain Current (dc) (min)
:0
- Drain Current (dc) (typ)
:0
- Drain Current (dc) (max)
:4
- Junction Temperature (℃) (min)
:-55
- Junction Temperature (℃) (typ)
:0
- Junction Temperature (℃) (max)
:175
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip(微芯) |
24+ |
标准封装 |
67048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
ASI |
24+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ASI |
24+ |
2LFL |
2568 |
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MSC |
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
MOTOROLA |
2138+ |
BGA |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
MSC80196 |
1 |
1 |
询价 | ||||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
QFP |
24+ |
5000 |
公司存货 |
询价 | |||
ST |
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原厂原封 |
16900 |
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询价 |