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MSC3930-BT1G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MSC3930-BT1G |
| 参数属性 | MSC3930-BT1G 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 |
| 功能描述 | NPN RF Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
42.15 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 23:00:00 |
| 人工找货 | MSC3930-BT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSC3930-BT1G规格书详情
MSC3930-BT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体公司制造生产的MSC3930-BT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
NPN RF Amplifier Transistor
• Pb−Free Package is Available
产品属性
更多- 产品编号：
MSC3930-BT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 1mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
SOT227 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
MSC |
24+ |
NA/ |
3780 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
MXY |
2016+ |
SOP8 |
5000 |
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询价 | ||
银茂微 |
23+ |
MODULE |
4500 |
专营国产功率器件 |
询价 | ||
MSC |
2016+ |
SOP8 |
6523 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
MORESEMI |
2022+ |
SOP-8 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
MSC |
0348+ |
SOP-8 |
530 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
11+ |
QFN |
52000 |
原装现货 |
询价 | ||
只做原装 |
24+ |
QFN |
36520 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
QFN |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |
