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MSB709-RT1G

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

文件:39 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSB709-RT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SC59

ONSEMI

安森美半导体

MSB709-RT1

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

文件:78.48 Kbytes 页数:1 Pages

ETL

亚历电子

MSB709-RT1

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

文件:40.4 Kbytes 页数:1 Pages

LRC

乐山无线电

MSB709-RT1

PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

文件:111.88 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MSB709-RT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SC59

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MSB709-RT1G供应商 更新时间2026-1-22 14:14:00