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NTD4809N	文件：122.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD4809N	文件：260.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD4809NA	文件：116.53 Kbytes Page：8 Pages	25V,58A,SingleN-Channel,DPAK/IPAK PowerMOSFET 25V,58A,SingleN-Channel,DPAK/IPAK Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •ThesearePb-FreeDevices Applications •CPUPowerDelivery •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD4809NG	文件：936.22 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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