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MSB1218A-RT1中文资料PNP Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MSB1218A-RT1 |
| 参数属性 | MSB1218A-RT1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3 |
| 功能描述 | PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 20:49:00 |
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MSB1218A-RT1规格书详情
描述 Description
This PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• High hFE, 210-460
• Low VCE(sat),
• Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel
• Pb-Free Package is Available
简介
MSB1218A-RT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MSB1218A-RT1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MSB1218A-RT1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.5
- IC Cont. (A)
：0.1
- VCEO Min (V)
：45
- VCBO (V)
：45
- VEBO (V)
：7
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：210
- hFE Max
：340
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：0.15
- Package Type
：SC-70-3/SOT-323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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SOT323 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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MOTOROAL |
24+ |
SOT-323 |
5000 |
公司存货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-323 |
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原装现货,优势供应,支持实单! |
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