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MS8351-P2819数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

MS8351-P2819

参数属性

MS8351-P2819 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP

功能描述

Silicon & GaAs Schottky Diodes
GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP

封装外壳

模具

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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MS8351-P2819规格书详情

描述 Description

The MS8351 is a GaAs flip chip series pair Schottky device designed for use as balanced mixer elements at microwave and millimeter wave frequencies. Their high cut-off frequency insures good performance at frequencies to 100 GHz. Applications include: transceivers, digital radios and automotive radar detectors. These flip chip devices incorporate Microsemi’s expertise in GaAs material processing, silicon nitride protective coatings and high temperature metallization. They have large, 5 x 5 mil, bond pads for ease of insertion. The MS8351 is priced for high volume commercial and industrial applications.

简介

MS8351-P2819属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MS8351-P2819二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MS8351-P2819

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    3V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    60pF @ 0V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    9 欧姆 @ 10mA,100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    芯片

  • 描述:

    GAAS SCHOTTKY NON HERMETIC FLIP

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