MS652S数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF
MS652S规格书详情
描述 Description
Datasheet: MS652~ MS652S
技术参数
- 产品编号:
MS652S
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
16V
- 频率 - 跃迁:
450MHz ~ 512MHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 最大值:
25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 200mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
2A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
M123
- 供应商器件封装:
M123
- 描述:
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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