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MS652S中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书

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厂商型号

MS652S

参数属性

MS652S 封装/外壳为M123;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

功能描述

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

封装外壳

M123

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 11:30:00

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MS652S规格书详情

描述 Description

Datasheet: MS652~ MS652S

技术参数

  • 产品编号:

    MS652S

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    16V

  • 频率 - 跃迁:

    450MHz ~ 512MHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    25W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 200mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    2A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    M123

  • 供应商器件封装:

    M123

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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