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MS2215分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MS2215

参数属性

MS2215 封装/外壳为M216;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216

封装外壳

M216

文件大小

147.48 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 17:45:00

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MS2215规格书详情

MS2215属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS2215晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION:

The MS2215 is designed for specialized avionics applications, including Mode-S, TCAS and JTIDS where power is provided under pulse formats utilizing short pulse widths and high burst or overall duty cycles.

特性 Features

● REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

● EMITTER SITE BALLASTED

● LOW THERMAL RESISTANCE

● INPUT/OUTPUT MATCHING

● OVERLAY GEOMETRY

● METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

● POUT = 150 W MIN. WITH 7.5 dB Gain

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MS2215

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    55V

  • 频率 - 跃迁:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    300W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    16.5A

  • 工作温度:

    250°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    M216

  • 供应商器件封装:

    M216

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216

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