MS2210分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MS2210规格书详情
DESCRIPTION:
The MS2210 avionics power transistor is a broadband, high peak pulse power device specifically designed for avionics applications requiring broad bandwidth with moderate duty cycle and pulse width constraints such as ground/ship DME/TACAN. The MS2210 is also designed for specialized applications where reduced power is provided under pulse formats utilizing short pulse widths and high burst or overall duty cycles
特性 Features
● 255 MHz BANDWIDTH
● GOLD METALLIZATION
● EMITTER SITE BALLASTED
● Pout = 300W MINIMUM
● Gp = 7.0 dB
● LOW THERMAL RESISTANCE
● INPUT/OUTPUT MATCHING
● 15:1 VSWR CAPABILITY
产品属性
- 产品编号：
MS2210
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB
- 功率 - 最大值：
940W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
24A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M216
- 供应商器件封装：
M216
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂 |
NA |
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TO-59 |
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