MS2206中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MS2206 |
| 参数属性 | MS2206 封装/外壳为M115；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
| 文件大小 |
93.55 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Advanced Power Technology |
| 企业简称 |
ADPOW |
| 中文名称 | Advanced Power Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-7 18:29:00 |
MS2206规格书详情
DESCRIPTION:
The MS2206 is a common base, silicon NPN microwave transistor designed for Class C driver applications under DME or IFF pulse conditions. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions.
Features
• 1025-1150 MHz
• GOLD METALLIZATION
• INFINITE VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS
• Pout = 4 W MINIMUM
• GP= 10 dB
• COMMON BASE CONFIGURATION
产品属性
- 产品编号：
MS2206
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
1.025GHz ~ 1.15GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
7.5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 100mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M115
- 供应商器件封装：
M115
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
国产 |
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