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MS1261中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书

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厂商型号

MS1261

参数属性

MS1261 封装/外壳为M122;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

功能描述

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

封装外壳

M122

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 19:10:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MS1261

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    18V

  • 频率 - 跃迁:

    175MHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    34W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 250mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    2.5A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    M122

  • 供应商器件封装:

    M122

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

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