高压应用

General电容器，适用于各种高压、高频、大电流线路。 工作温度 : - 40 至 + 85 ˚C\n容量范围 : 0.0022 至 0.47μF\n额定电压 : 4K 至 15K VAC\n容量偏差 : ± 5% , ± 10%\n损耗因素 : ≤8× 10-4 @ 1KHz, 20±5˚C\n预期寿命 : 100,000 小时 @ Urms, 70 ˚C(热点温度)\n极间耐压 : 1.5Urms (AC) @ 50Hz, 10s, 20±5˚C\n极壳耐压 : (1.5 Upeak +1000)VAC, 最小 3000VAC (10s,50Hz)\n绝缘电阻 : (IR;

EACO

高压应用

General电容器，适用于各种高压、高频、大电流线路。 工作温度 : - 40 至 + 85 ˚C\n容量范围 : 0.0022 至 0.47μF\n额定电压 : 4K 至 15K VAC\n容量偏差 : ± 5% , ± 10%\n损耗因素 : ≤8× 10-4 @ 1KHz, 20±5˚C\n预期寿命 : 100,000 小时 @ Urms, 70 ˚C(热点温度)\n极间耐压 : 1.5Urms (AC) @ 50Hz, 10s, 20±5˚C\n极壳耐压 : (1.5 Upeak +1000)VAC, 最小 3000VAC (10s,50Hz)\n绝缘电阻 : (IR;

EACO

NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor

文件：785.95 Kbytes 页数：76 Pages

NSC

国半

NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor

文件：785.95 Kbytes 页数：76 Pages

NSC

国半

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V,

文件：51.21 Kbytes 页数：6 Pages

NEC

瑞萨