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MRF8P20161HS数据手册恩XP中文资料规格书
MRF8P20161HS规格书详情
描述 Description
The MRF8P20161HSR3 is designed for CDMA base station applications with frequencies from 1880 to 2025 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
特性 Features
• Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
• Characterized with Large-Signal Load-Pull Parameters and Common Source S-Parameters
• Internally Matched for Ease of Use
• Integrated ESD Protection
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13-inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRF8P20161HS
- 功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 161W NI780HS-4
- RoHS：
否
- 制造商：
Freescale Semiconductor
- 配置：
Single
- 频率：
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益：
27 dB
- 输出功率：
100 W
- 封装/箱体：
NI-780-4
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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