MRF8P18265HSR6_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-恩智浦

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原厂料号:MRF8P18265HSR6品牌:NXP USA Inc.

资料说明:FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8

MRF8P18265HSR6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP/恩智浦生产封装SOT-1110B的MRF8P18265HSR6晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    mrf8p18265hsr6

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  • 企业简称:

    NXP【恩智浦】详情

  • 厂商全称:

    NXP Semiconductors

  • 中文名称:

    恩智浦半导体公司

  • 资料说明:

    FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MRF8P18265HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    1.88GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 输出:

    72W

  • 封装/外壳:

    SOT-1110B

  • 供应商器件封装:

    NI1230S-8

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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