MRF8P18265HS数据手册恩XP中文资料规格书

厂商型号	MRF8P18265HS
功能描述	Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880 MHz, 72 W Avg., 30 V
制造商	恩XP 恩XP
中文名称	N智浦
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 19:49:00
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MRF8P18265HS规格书详情

描述 Description

The MRF8P18265HR6 and MRF8P18265HSR6 are designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

特性 Features

• Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 30 Volts, IDQA = 800 mA, VGSB = 1.3 V, Pout = 72 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.FrequencyGps(dB)ηD(%)Output PAR(dB)ACPR(dBc)1805 MHz15.944.86.9–31.71840 MHz16.143.47.0–31.71880 MHz16.043.76.7–32.2

技术参数

型号：
MRF8P18265HS
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 65V N-CH 1840MHz
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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