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MRF7S21170HSR3	文件：452.94 Kbytes Page：17 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MRF7S21170HSR3	文件：442.39 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF7S21170HSR3	文件：470.22 Kbytes Page：12 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors(N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs) RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABandClassCforPCN-PCS/cellularradioandWLLappl	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

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