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SS559LUA	文件：289.66 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
SS559LUA	文件：272.84 Kbytes Page：8 Pages	HallLatch-HighSensitivity GeneralDescription TheSS559isaunipolarHall-effectsensorICfabricatedfrommixedsignalCMOStechnology.Thedeviceintegratesavoltageregulator,Hallsensorwithdynamicoffsetcancellationsystem,Schmitttriggerandanopen-drainoutputdriver,allinasinglepackage. FeaturesandB	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
STA559BW	文件：1.21627 Mbytes Page：67 Pages	Selectable32-to192-kHzinputsamplerates Description TheSTA559BWisanintegratedsolutionofdigitalaudioprocessing,digitalamplifiercontrolsandpoweroutputstagetocreateahigh-powersingle-chipFFXdigitalamplifierwithhigh-qualityandhigh-efficiency.ThreechannelsofFFXprocessingareprovided.TheFFXprocessorimplem	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STA559BWQS	文件：808.47 Kbytes Page：66 Pages	5-V,2-A,2.1-channelhigh-efficiencydigitalaudiosystemwithQSoundQHD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SZ559B	文件：477.223 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ559B	文件：476.733 Kbytes Page：2 Pages	3W9.1VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ559B	文件：28.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ559B	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ559B	文件：80.42 Kbytes Page：2 Pages	3WattsSurfaceMountZenerDiodes Features ●CompleteVoltageRange3.9to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ559B	文件：229.74 Kbytes Page：3 Pages	3WSiliconZenerDiodes Features ◇CompleteVoltageRange3.9to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

产品属性

产品编号：
MRF559T
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
870MHz
增益：
9.5dB
功率 - 最大值：
2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ

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