MRF553G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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厂家型号：
MRF553G
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
10000
产品封装：
生产批号：
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-6-21 11:09:00

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原厂料号：MRF553G品牌：MICRO-SEMI

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MRF553G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICRO-SEMI/Microsemi Corporation生产封装超大功率的MRF553G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MRF553G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ADPOW详情
厂商全称：
Advanced Power Technology
内容页数：
5 页
文件大小：
146.09 kb
资料说明：
RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF553G
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
频率 - 跃迁：
175MHz
增益：
11dB ~ 13dB
功率 - 最大值：
3W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
超大功率
供应商器件封装：
超大功率
描述：
RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

供应商

企业：
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
陈先生/周小姐
手机：
18923718265
询价：
电话：
0755-82721010
传真：
0755-28225816
地址：
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