MRF4427R1 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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1+	面议

厂家型号：
MRF4427R1
产品分类：
芯片
生产厂商：
Microsemi Corporation
库存数量：
9350
产品封装：
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-17 14:50:00

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详细信息
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原厂料号：MRF4427R1品牌：Microsemi Corporation

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MRF4427R1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Microsemi Corporation生产封装8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的MRF4427R1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MRF4427R1
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美半导体公司
内容页数：
5 页
文件大小：
171.29 kb
资料说明：
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF4427R1
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
增益：
20dB
功率 - 最大值：
1.5W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 10mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
400mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-dBGA（2x1.5）
描述：
RF TRANS NPN 20V 8DBGA

供应商

企业：
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
许小姐
手机：
13717125871
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