MRF314分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MRF314规格书详情
The RF Line
NPN Silicon
RF Power Transistors
. . . designed primarily for wideband large–signal driver and output amplifier stages in the 30–200 MHz frequency range.
• Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc
Output Power = 30 Watts
Minimum Gain = 10 dB
• 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR
• Gold Metallization System for High Reliability Applications
产品属性
- 产品编号：
MRF314
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 最大值：
30W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1.5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3.4A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
211-07
- 供应商器件封装：
211-07，1 型
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 211-07
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