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MRF21085R3	文件：562.19 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radi 文件：562.19 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
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