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MRF18085BR3	文件：610.58 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • GSM and GSM EDGE Performance, Full F 文件：610.58 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
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MRF19030LSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
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