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RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesto520MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakeitidealforlarge-signal,commonsourceamplifierapplicationsin12.

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