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MRF1511NT1_06中文资料飞思卡尔数据手册PDF规格书

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厂商型号

MRF1511NT1_06

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

文件大小

463.71 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

freescale Freescale Semiconductor, Inc

中文名称

飞思卡尔 飞思卡尔半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-16 23:00:00

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MRF1511NT1_06规格书详情

175 MHz, 8 W, 7.5 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 175 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.

• Specified Performance @ 175 MHz, 7.5 Volts

Output Power — 8 Watts

Power Gain — 11.5 dB

Efficiency — 55

• Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc,

175 MHz, 2 dB Overdrive

特性 Features

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

• Available in Tape and Reel.

T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.

产品属性

  • 型号:

    MRF1511NT1_06

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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