MRF136中文资料RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR数据手册ASI Semiconductor规格书
| 厂商型号 |
MRF136 |
| 参数属性 | MRF136 封装/外壳为211-07；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 65V 400MHZ 211-07 |
| 功能描述 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 211-07 |
| 制造商 | ASI Semiconductor ASI Semiconductor, Inc. |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 20:37:00 |
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MRF136规格书详情
简介
MRF136属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由ASI Semiconductor制造生产的MRF136晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
MRF136
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
400MHz
- 增益：
16dB
- 额定电流（安培）：
2.5A
- 噪声系数：
1dB
- 功率 - 输出：
15W
- 封装/外壳：
211-07
- 供应商器件封装：
211-07，2 型
- 描述：
FET RF 65V 400MHZ 211-07
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