MRF1150MB分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF1150MB |
| 参数属性 | MRF1150MB 封装/外壳为332A-03；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ |
| 功能描述 | Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 150W (peak), 960-1215MHz |
| 封装外壳 | 332A-03 |
| 文件大小 |
191.65 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | M/A-COM Technology Solutions, Inc. |
| 企业简称 |
MA-COM |
| 中文名称 | M/A-COM Technology Solutions, Inc.官网 |
| 原厂标识 | MA-COM |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 14:14:00 |
| 人工找货 | MRF1150MB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MRF1150MB规格书详情
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters.
• Guaranteed performance @ 1090 MHz, 50 Vdc
Output power = 150 W peak
Minimum gain = 7.8 dB
• 100 tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR
• Industry standard package
• Nitride passivated
• Gold metallized, emitter ballasted for long life and resistance to metal migration
• Internal input matching for broadband operation
产品属性
- 产品编号：
MRF1150MB
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
70V
- 增益：
9.8dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
12A
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
332A-03
- 供应商器件封装：
332A-03
- 描述：
TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M/A-COM |
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MCM |
24+ |
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询价 | ||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
311 |
现货供应 |
询价 |
