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MR2A08ACYS35R集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MR2A08ACYS35R |
参数属性 | MR2A08ACYS35R 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
功能描述 | 512K x 8 MRAM Memory |
封装外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
文件大小 |
901.96 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Everspin Technologies Inc. |
企业简称 |
EVERSPIN |
中文名称 | Everspin Technologies Inc.官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-10 11:01:00 |
人工找货 | MR2A08ACYS35R价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MR2A08ACYS35R规格书详情
MR2A08ACYS35R属于集成电路(IC)的存储器。由Everspin Technologies Inc.制造生产的MR2A08ACYS35R存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
MR2A08ACYS35R
- 制造商:
Everspin Technologies Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
RAM
- 技术:
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存储容量:
4Mb(512K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
35ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-TSOP2
- 描述:
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EST |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
Everspin |
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EverSpin |
23+ |
44-TSOP |
7750 |
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NA |
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EVERSPIN |
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BGA |
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EverspinTechnologiesInc |
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EverspinTechnologies |
24+ |
SMD |
15600 |
NVRAM4Mb3.3V35ns512Kx8ParallelMRAM |
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Everspin Technologies Inc. |
22+ |
44TSOP2 (10.2x18.4) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Everspin Technologies Inc. |
24+ |
44-TSOP2 |
56200 |
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EST |
24+ |
ORIGINAL |
22800 |
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