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MR2A08AMYS35	文件：901.96 Kbytes Page：15 Pages	512K x 8 MRAM Memory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A08AMYS35R	文件：901.96 Kbytes Page：15 Pages	512K x 8 MRAM Memory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A08AVTS35C	文件：231.25 Kbytes Page：22 Pages	256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MR2A08AVYS35	文件：219.88 Kbytes Page：20 Pages	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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MR2A08AYS35	文件：219.88 Kbytes Page：20 Pages	64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MR2A08AYS35	文件：901.96 Kbytes Page：15 Pages	512K x 8 MRAM Memory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A08AYS35R	文件：901.96 Kbytes Page：15 Pages	512K x 8 MRAM Memory	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A08ACMA35R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN
MR2A08ACYS35	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2	EVERSPIN Everspin Technologies Inc.	EVERSPIN

详细参数

型号：
MR2A08A
功能描述：
NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MR2A08A供应商更新时间2025-5-24 14:04:00

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