MR256A08BSO35R数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF

描述 Description

MRAM is a cost-effective replacement for FeRAM, nvSRAM or BBSRAM.
• No batteries or capacitors required to retain data.
• 35ns Read/Write speed with unlimited endurance.
• Data non-volatile with 20 years retention.
• Data retained on power loss.
• RoHS compliant packages.

简介

MR256A08BSO35R属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的MR256A08BSO35R存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。