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MR256A08BCSO35	文件：1.15094 Mbytes Page：24 Pages	32K x 8 MRAM 文件：1.15094 Mbytes 页数：24 Pages	EVERSPIN	EVERSPIN
MR256A08BCSO35	文件：300 bytes Page：1 Pages	256Kb Density 8-bit Parallel I/O Interface MRAM MRAM is a cost-effective replacement for FeRAM, nvSRAM or BBSRAM.\n• No batteries or capacitors required to retain data.\n• 35ns Read/Write speed with unlimited endurance.\n• Data non-volatile with 20 years retention.\n• Data retained on power loss.\n• RoHS compliant packages.	Everspin	Everspin
MR256A08BCSO35	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 256KBIT PARALLEL 32SOIC	EVERSPIN	EVERSPIN
MR256A08BCSO35R	文件：1.15094 Mbytes Page：24 Pages	32K x 8 MRAM 文件：1.15094 Mbytes 页数：24 Pages	EVERSPIN	EVERSPIN
MR256A08BCSO35R	文件：300 bytes Page：1 Pages	256Kb Density 8-bit Parallel I/O Interface MRAM MRAM is a cost-effective replacement for FeRAM, nvSRAM or BBSRAM.\n• No batteries or capacitors required to retain data.\n• 35ns Read/Write speed with unlimited endurance.\n• Data non-volatile with 20 years retention.\n• Data retained on power loss.\n• RoHS compliant packages.	Everspin	Everspin
MR256A08BCSO35R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 256KBIT PARALLEL 32SOIC	EVERSPIN	EVERSPIN

产品属性

产品编号：
MR256A08BCSO35
制造商：
Everspin Technologies Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
RAM
技术：
MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
35ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOIC
描述：
IC RAM 256KBIT PARALLEL 32SOIC

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