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MR0A08BSO35R数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

MR0A08BSO35R

参数属性

MR0A08BSO35R 封装/外壳为32-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC RAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

功能描述

1Mb Density 8-bit I/O Parallel Interface MRAM
IC RAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

封装外壳

32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

Everspin Everspin Technologies Inc.

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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MR0A08BSO35R规格书详情

描述 Description

The MR0A08A is the ideal memory for applications that must perrmanently store and retrieve critical data and programs quickly.
• Commercial and Industrial operating temperatures.
• 35ns Read/Write speed with unlimited endurance.
• Data non-volatile with 20 years retention.
• Data retained on power loss.
• RoHS compliant packages.

简介

MR0A08BSO35R属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的MR0A08BSO35R存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MR0A08BSO35R

  • 制造商:

    Everspin Technologies Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    RAM

  • 技术:

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    35ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    32-SOIC

  • 描述:

    IC RAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC

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