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MPSH11

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MPSH11

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MPSH11

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MPSH11

onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!-

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MPSH11

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MPSH11_D27Z

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MPSH11

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MPSH11_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MPSH11

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    25V

  • 频率 - 跃迁：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

  • 供应商器件封装：

    TO-92-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

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