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MPSA63_D75Z中文资料TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO-92数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MPSA63_D75Z |
参数属性 | MPSA63_D75Z 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO92-3 |
功能描述 | TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO-92 |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 17:09:00 |
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MPSA63_D75Z规格书详情
简介
MPSA63_D75Z属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MPSA63_D75Z晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MPSA63_D75Z
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:1.2A
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:30V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:1.5V @ 100µA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:100nA(ICBO)
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:10000 @ 100mA,5V
- 功率 - 最大值
:625mW
- 频率 - 跃迁
:125MHz
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
- 供应商器件封装
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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