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MPSA29-D26Z	文件：160.21 Kbytes Page：5 Pages	丝印：MPSA29；Package：TO-92-3；NPN Darlington Transistor Description This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from process 03. See MPSA28 for characteristics. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：160.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPSA29-D26Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPSA42	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	FAIRCHILD/仙童
MPSA44	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ST 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	ST
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更多MPSA29-D26Z供应商更新时间2026-2-1 8:11:00