| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-92(TO-226) |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-92(TO-226) |
7786 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
1327 |
0936+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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6年
留言
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华昕TO-92 |
34 |
23+ |
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6年
留言
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华昕TO-92 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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3年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保障 |
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18年
留言
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FSC原厂原装 |
1560 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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16年
留言
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ONTO-92 |
3685 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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7年
留言
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onsemiTO-92(TO-226) |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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7年
留言
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onsemiTO-92(TO-226) |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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CARTER |
150 |
24+ |
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6年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
1478 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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CENTRALTO-92 |
3675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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18年
留言
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MOt |
30 |
25+ |
公司优势库存 热卖中!! |
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3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO92 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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10年
留言
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FAIRCHILD原装进口原厂原包接受订货 |
29575 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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CENTRAL-中环TO-92-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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18年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
1475 |
2012+ROHS |
全新 发货1-2天 |
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6年
留言
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CENTRALTO-92 |
3675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
MPSA18采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MPSA18图片
MPSA18价格
MPSA18价格:¥0.2073品牌:ON
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MPSA18中文资料Alldatasheet PDF
更多MPSA18功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
MPSA18_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D26Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 45V NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSA18RLRA功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 45V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MPSA18
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
160MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 45V 0.2A TO92































